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产品介绍:
SiC的物理和电学属性使其成为短波长光电、高温、耐辐射、高功率/高频率电子器件的半导体材料。然而生长的SiC单晶非常困难，其中要素就取决于SiC晶种的品质。晶种的类型、表面性质和吸附变化极大地影响着SiC晶体的生长类型、缺陷结构以及电学性质等等。
合能阳光提供的SiC晶种，可充分满足不同需求的客户，的晶种品质为客户SiC长晶的成品率与晶片质量提供了的保障。
物理性质：
标准参数：
完全可以根据客户需求提供不同品质的晶种。Micropipe密度，标准控制在30/cm2以内，高品质可以控制在5/cm2以内。
技术参数：
■ 系统重复性：300~400nm <0.6%
400~1000nm <0.3%
1000nm以上<0.6%
■ 测试光斑尺寸2mm~10mm
■ 测试速度：单次光谱扫描<1min；
典型客户:
美国，欧洲，亚洲及国内SiC衬底企业。
